富士通公司齋藤仁来我校学术交流

2014-11-05 11:56:04
学术交流

10月29日—31日,日本富士通公司半导体铁电技术与制造部部长齋藤仁先生(Mr. Saito Hitoshi)到我校学术交流。

10月30日上午,齋藤仁作客第七届“勷勤论坛”之华南先进光电子研究院学院分论坛,作了主题为《铁电存储器的最新进展》(Recent FRAM Progress and Beyond)的学术报告。 报告中,齋藤仁介绍了铁电存储器(FRAM)的概念,阐述了其对FRAM各环节的改进原理,并向大家汇报了他在FRAM方面的最新研究进展。

此外,华南先进光电子研究院党总支书记兼副院长贺浪萍、陆旭兵教授和化学与环境学院朱宏教授等与齋藤仁进行了合作交流。

齋藤仁是国际固态材料会议(Int. Conf. Solid State Device Meeting, Area4/SSDM)小组委员会成员之一,曾参与改进DRAM和FLASH从0.6微米到0.13微米的加工技术,发展了FRAM 的0.35微米技术以及0.18微米技术,目前致力于非易失存储器工艺和外部存储器器件的研究。

作者/通讯员:华南先进光电子研究院 | 来源:未知 | 编辑:杨柳青